Device architecture of the tandem gasochromic-Pd-WO3/graphene/Si optoelectronic hydrogen sensor.
Sensing mechanism of the Pt@rGO nanocomposite sensor toward hydrogen
Gas sensing mechanism of Au/rGO/ZnO sensor in (a) air (b) air with UV light, and (c) H2 environment with UV irradiation.
공법 | CNT 및 기타 센서 | 그래핀랩 Sensor |
---|---|---|
동작온도 | CNT 및 기타 센서 300°C~500°C |
그래핀랩 Sensor RT (상온) |
소비전력/히터유무 | CNT 및 기타 센서 매우 크다 (히터 유) |
그래핀랩 Sensor 매우 작다 (히터 무) |
응답성 |
CNT 및 기타 센서 매우 작다(자유전자 수가 적음으로 전류량이 적고 반응성이 작고 측정이 어려움) |
그래핀랩 Sensor 매우 크다 (측정 용이) |
회복성 | CNT 및 기타 센서 매우 느림 (수 Min~수십 Min) |
그래핀랩 Sensor 매우 빠름 (수 Sec 이내) |
반응속도 | CNT 및 기타 센서 매우 느림 (수 Sec~수 Min) |
그래핀랩 Sensor 수 Sec |
측정단위 | CNT 및 기타 센서 ppm (100만분의 1) |
그래핀랩 Sensor ppb (10억분의 1) |
환경온도 | CNT 및 기타 센서 -20°C~80°C |
그래핀랩 Sensor -20°C~80°C |